NEWS


ในงาน "Samsung SSD Forum 2019 Tokyo" ทางซัมซุงได้เปิดตัวชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่ N-NAND ชนิด TLC ซึ่งเป็นเจนเนอร์เรชันที่ 6 ที่มาพร้อมกับเทคโนโลยีการผลิตแบบ 128 เลเยอร์ (เป็นการเรียงแบบสเต็กซ้อนกันขึ้นไป เพื่อให้เก็บข้อมูลได้มาก ในขณะที่ใช้พื้นที่ในการติดตั้งชิปเท่าเดิมหรือน้อยลง)  ที่จะทำให้สามารถเพิ่มความจุในการจัดเก็บข้อมูลได้สูงถึง 256G/bit และ 512G/bit ต่อชิป และยังมีค่า I/O ที่สูงถึง 1200Mbps โดย V-NAND รุ่นใหม่นี้มีแผนวางตลาดในปี 2020

ส่วนผลิตภัณฑ์ที่จะนำ V-NAND รุ่นใหม่นี้ไปใช้ก็จะมีตั้งแต่ตลาดอุปกรณ์พกพา สินค้าในตลาดคอนซูเมอร์ รวมไปถึง SSD บนคลาวด์ที่ใช้อินเทอร์เฟซแบบ PCIe Gen4 อีกด้วย รวมไปถึงฟอร์มแฟคเตอร์แบบ U2 ที่คาดว่าจะให้ความเร็วในการโอนย้ายข้อมูลได้สูงถึง 6400MB/s

เครดิตที่มา : https://pc.watch.impress.co.jp/